N-Kanal-Transistor IHW30N120R2, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 2589pF. CE-Diode: ja. Funktion: Induktives Kochen, Soft-Switching-Anwendungen. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 90A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30R1202. Kollektorstrom: 60A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 77pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 390W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Td(off): 792 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35