N-Kanal-Transistor IHW20T120, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+150°C. C(in): 1460pF. CE-Diode: ja. Funktion: Soft Switching Applications. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 60A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20T120. Kollektorstrom: 40A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 78pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 178W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35