N-Kanal-Transistor IHW20N135R3, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 1500pF. CE-Diode: ja. Funktion: Inductive?cooking. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 60A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20R1353. Kollektorstrom: 40A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 55pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Td(off): 405 ns. Td(on): 335 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35