N-Kanal-Transistor IGW75N60H3, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 4620pF. CE-Diode: nein. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 225A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G75H603. Kollektorstrom: 140A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 240pF. Lieferzeit: KB. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 428W. RoHS: ja. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Td(off): 265 ns. Td(on): 31 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35