N-Kanal-Transistor HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v

N-Kanal-Transistor HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.56€
5-49
1.29€
50-99
1.09€
100+
0.97€
Menge auf Lager: 95

N-Kanal-Transistor HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AA ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 850pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 76121D. Kosten): 465pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 75W. Td(off): 45 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 58 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Intersil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

Technische Dokumentation (PDF)
HUF76121D3S
29 Parameter
ID (T=100°C)
20A
ID (T=25°C)
20A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.017 Ohms
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D2PAK ( TO-252AA )
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
850pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Gate-Steuerung durch Logikpegel
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
1uA
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
76121D
Kosten)
465pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
75W
Td(off)
45 ns
Td(on)
6 ns
Technologie
UltraFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
58 ns
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Intersil