N-Kanal-Transistor HUF75344P3, TO-220, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220AB, 55V

N-Kanal-Transistor HUF75344P3, TO-220, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220AB, 55V

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N-Kanal-Transistor HUF75344P3, TO-220, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. : erweitert. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3200pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: 55V. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75344 P. Kosten): 1170pF. Leistung: 285W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 285W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 75A. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 105 ns. Verpackung: tubus. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

Technische Dokumentation (PDF)
HUF75344P3
35 Parameter
Gehäuse
TO-220
ID (T=25°C)
75A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.065 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
55V
erweitert
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
3200pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Drain-Source-Spannung
55V
G-S-Schutz
nein
Gate-Source-Spannung
±20V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
75344 P
Kosten)
1170pF
Leistung
285W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
285W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
75A
Td(off)
46 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
UltraFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
105 ns
Verpackung
tubus
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild