N-Kanal-Transistor HGTG5N120BND, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N120BND. Kollektorstrom: 25A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.7V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: IGBT-Transistor der NPT-Serie mit antiparalleler hyperschneller Diode. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19