N-Kanal-Transistor HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V

N-Kanal-Transistor HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V

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N-Kanal-Transistor HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Ic(T=100°C): 23A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: 12N60A4D. Ic(Impuls): 96A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 12N60A4D. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 54A. Kollektorstrom: 54A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 167W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Produktionsdatum: 2014/17. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 96A. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

Technische Dokumentation (PDF)
HGTG12N60A4D
40 Parameter
Gehäuse
TO-247
Ic(T=100°C)
23A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
110 ns
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
Einschaltzeit ton [nsec.]
17 ns
Funktion
SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
5.6V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
5.6V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5.6V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Herstellerkennzeichnung
12N60A4D
Ic(Impuls)
96A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
12N60A4D
Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]
600V
Kollektorstrom Ic [A]
54A
Kollektorstrom
54A
Komponentenfamilie
IGBT-Transistor
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.7V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
167W
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
167W
Produktionsdatum
2014/17
RoHS
ja
Sammlerspitzenstrom IP [A]
96A
Spec info
>100kHz, 390V, 12A
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Td(off)
96 ns
Td(on)
17 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild