N-Kanal-Transistor G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.3m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1800pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Leistungsschaltung, DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): n/a. Id(imp): 200A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G60N04K. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Kosten): 280pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Goford Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19