N-Kanal-Transistor FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

N-Kanal-Transistor FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
0.64€
5-24
0.56€
25-49
0.49€
50-99
0.44€
100+
0.37€
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N-Kanal-Transistor FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 240pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 3.4A. Kanaltyp: N. Kosten): 36pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.2W. RoHS: ja. Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

FQT4N20LTF
28 Parameter
ID (T=100°C)
0.55A
ID (T=25°C)
0.85A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.1 Ohms
Gehäuse
SOT-223 ( TO-226 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-223
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
240pF
Drain-Source-Schutz
ja
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
3.4A
Kanaltyp
N
Kosten)
36pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2.2W
RoHS
ja
Td(off)
15 ns
Td(on)
7 ns
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
90 ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild