N-Kanal-Transistor FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-Kanal-Transistor FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
2.40€
5-24
2.12€
25-49
1.92€
50-99
1.74€
100+
1.54€
Menge auf Lager: 35

N-Kanal-Transistor FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: +55...+150°C. C(in): 790pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 28 nC, niedriger CrSS 24 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 44W. RoHS: ja. Td(off): 93 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQPF9N50CF
30 Parameter
ID (T=100°C)
5.4A
ID (T=25°C)
9A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.7 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
+55...+150°C
C(in)
790pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 28 nC, niedriger CrSS 24 pF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
36A
Kanaltyp
N
Kosten)
130pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
44W
RoHS
ja
Td(off)
93 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
100 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild