N-Kanal-Transistor FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 965pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1255pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 7.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 45 ns. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 28 nC, niedriger CrSS 12 pF. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Herstellerkennzeichnung: FQPF8N60C. IDss (min): 1uA. Id(imp): 30A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 105pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 365ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41