N-Kanal-Transistor FQPF85N06, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V

N-Kanal-Transistor FQPF85N06, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
3.11€
5-24
2.71€
25-49
2.30€
50+
2.09€
Menge auf Lager: 3

N-Kanal-Transistor FQPF85N06, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3170pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 212A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 1150pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Td(off): 170 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQPF85N06
31 Parameter
ID (T=100°C)
37.5A
ID (T=25°C)
53A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.008 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
3170pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
212A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
1150pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
62W
RoHS
ja
Td(off)
170 ns
Td(on)
40 ns
Technologie
DMOS, QFET MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
70 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild