N-Kanal-Transistor FQPF5N50C, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-Kanal-Transistor FQPF5N50C, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
1.58€
5-9
1.47€
10-24
1.32€
25-49
1.23€
50+
1.19€
Menge auf Lager: 60

N-Kanal-Transistor FQPF5N50C, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.14 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 480pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 18 nC, niedriger CrSS 15 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kosten): 80pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 38W. RoHS: ja. Td(off): 50 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 263 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQPF5N50C
30 Parameter
ID (T=100°C)
2.9A
ID (T=25°C)
5A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.14 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
480pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 18 nC, niedriger CrSS 15 pF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
20A
Kanaltyp
N
Kosten)
80pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
38W
RoHS
ja
Td(off)
50 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
263 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild