N-Kanal-Transistor FQPF11N50CF, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

N-Kanal-Transistor FQPF11N50CF, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
3.54€
5-24
3.13€
25-49
2.80€
50+
2.46€
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N-Kanal-Transistor FQPF11N50CF, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1515pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 43 nC, niedriger CrSS 20 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kosten): 185pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Td(off): 120ns. Td(on): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

FQPF11N50CF
30 Parameter
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.48 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1515pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 43 nC, niedriger CrSS 20 pF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
44A
Kanaltyp
N
Kosten)
185pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
48W
RoHS
ja
Td(off)
120ns
Td(on)
24 ns
Technologie
QFET ® FRFET ® MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
90 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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