N-Kanal-Transistor FQP5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

N-Kanal-Transistor FQP5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
2.48€
5-24
2.15€
25-49
1.90€
50-99
1.76€
100+
1.56€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 34

N-Kanal-Transistor FQP5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 515pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 15 nC, niedriger CrSS 6,5 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Kosten): 55pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Verstärkungsmodus-Leistungsfeldeffekttransistor“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQP5N60C
30 Parameter
ID (T=100°C)
2.6A
ID (T=25°C)
4.5A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
2 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
515pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 15 nC, niedriger CrSS 6,5 pF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
18A
Kanaltyp
N
Kosten)
55pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
100W
RoHS
ja
Td(off)
38 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
„Verstärkungsmodus-Leistungsfeldeffekttransistor“
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
300 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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