N-Kanal-Transistor FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V

N-Kanal-Transistor FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V

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Stückpreis
1-4
1.86€
5-24
1.59€
25-49
1.38€
50-99
1.23€
100+
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N-Kanal-Transistor FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 37.1A. ID (T=25°C): 52.4A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1250pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1630pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 52.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: FQP50N06L. IDss (min): 1uA. Id(imp): 210A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 445pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 121W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 121W. RoHS: ja. Spec info: Logikebene. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQP50N06L
44 Parameter
Gehäuse
TO-220
Drain-Source-Spannung Uds [V]
60V
ID (T=100°C)
37.1A
ID (T=25°C)
52.4A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.017 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
170 ns
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1250pF
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
1630pF
Drain-Source-Schutz
ja
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
52.4A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.025 Ohms @ 26.2A
Einschaltzeit ton [nsec.]
50 ns
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
2.5V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Herstellerkennzeichnung
FQP50N06L
IDss (min)
1uA
Id(imp)
210A
Kanaltyp
N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
445pF
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
121W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
121W
RoHS
ja
Spec info
Logikebene
Td(off)
80 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
DMOS, QFET, LOGIC N-Ch
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
65 ns
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild