N-Kanal-Transistor FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.078 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 600pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 76A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 165pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 78 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41