N-Kanal-Transistor FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-Kanal-Transistor FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

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Stückpreis
1-4
4.82€
5-24
4.23€
25-49
3.80€
50-99
3.41€
100+
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N-Kanal-Transistor FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1800pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: N. Kosten): 245pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 28/08/2025, 22:03

Technische Dokumentation (PDF)
FQP13N50
30 Parameter
ID (T=100°C)
7.9A
ID (T=25°C)
12.5A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.33 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1800pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
N
Kosten)
245pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
170W
RoHS
ja
Td(off)
100 ns
Td(on)
40 ns
Technologie
N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET)
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
290 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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