N-Kanal-Transistor FQAF11N90C, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 900V, 4.4A, 7A, 100uA, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V
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N-Kanal-Transistor FQAF11N90C, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 900V, 4.4A, 7A, 100uA, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.91 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2530pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 7.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Herstellerkennzeichnung: FQAF11N90C. IDss (min): 10uA. Id(imp): 28A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 215pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41