N-Kanal-Transistor FP25R12W2T4, 25A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Abmessungen: 56.7x48x12mm. Anzahl der Terminals: 33dB. Betriebstemperatur: -40...+125°C. C(in): 1.45pF. CE-Diode: ja. Funktion: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Hinweis: 7x IGBT+ CE Diode. Ic(Impuls): 50A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 39A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 175W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Td(off): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Technologie: IGBT-Hybridmodul. Originalprodukt vom Hersteller: Eupec/infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41