N-Kanal-Transistor FDV301N, SOT23, 25V, 25V. Gehäuse: SOT23. Vdss (Drain-Source-Spannung): 25V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 8 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 9.5pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 0.22A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 301. Gate/Source-Spannung Vgs max: 8V. Herstellerkennzeichnung: 301. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 0.22A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Polarität: MOSFET N. Rds on (max) @ id, vgs: 9 Ohms / 0.2A / 2.7V. RoHS: ja. Serie: -. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27