N-Kanal-Transistor FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 19m Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Ausgänge: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 13nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 475pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 30V. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kosten): 100pF. Leistung: 2.5W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 8.5A. Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: MOSFET, PowerTrench®. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41