N-Kanal-Transistor FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-Kanal-Transistor FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
3.59€
5-24
3.24€
25-49
2.94€
50-99
2.70€
100+
2.33€
Menge auf Lager: 24

N-Kanal-Transistor FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.46 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 945pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 46A. Kanaltyp: N. Kosten): 155pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 23 nC), niedriger CrSS 14 pF. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: UniFET TM II MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00

Technische Dokumentation (PDF)
FDPF12N50NZ
31 Parameter
ID (T=100°C)
6.9A
ID (T=25°C)
11.5A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.46 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
945pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
46A
Kanaltyp
N
Kosten)
155pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
42W
RoHS
ja
Spec info
Niedrige Gate-Ladung (typisch 23 nC), niedriger CrSS 14 pF
Td(off)
60 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
UniFET TM II MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
315 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild