N-Kanal-Transistor FDP2532, 150V, 0.016 Ohms, TO-220, 56A, 79A, 250uA, TO-220AB, 150V

N-Kanal-Transistor FDP2532, 150V, 0.016 Ohms, TO-220, 56A, 79A, 250uA, TO-220AB, 150V

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N-Kanal-Transistor FDP2532, 150V, 0.016 Ohms, TO-220, 56A, 79A, 250uA, TO-220AB, 150V. Drain-Source-Spannung (Vds): 150V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5870pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kosten): 615pF. Leistung: 310W. Maximaler Drainstrom: 79A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Td(off): 39 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 105 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00

Technische Dokumentation (PDF)
FDP2532
33 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
150V
Einschaltwiderstand Rds On
0.016 Ohms
Gehäuse
TO-220
ID (T=100°C)
56A
ID (T=25°C)
79A
IDSS (max)
250uA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
150V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
5870pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kosten)
615pF
Leistung
310W
Maximaler Drainstrom
79A
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
310W
RoHS
ja
Td(off)
39 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
N-Channel PowerTrench® MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
105 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild