N-Kanal-Transistor FDN335N, SuperSOT-3
Menge
Stückpreis
1-4
1.02€
5-9
0.64€
10-19
0.50€
20-49
0.43€
50+
0.38€
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N-Kanal-Transistor FDN335N, SuperSOT-3. Gehäuse: SuperSOT-3. : erweitert. Aufladung: 5nC. Drain-Source-Spannung: 20V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Gate-Source-Spannung: ±8V. Leistung: 0.5W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 1.7A. Technologie: PowerTrench®. Transistortyp: N-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:09
FDN335N
14 Parameter
Gehäuse
SuperSOT-3
erweitert
Aufladung
5nC
Drain-Source-Spannung
20V
Eigenschaften des Halbleiters
Logikebene
Gate-Source-Spannung
±8V
Leistung
0.5W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
1.7A
Technologie
PowerTrench®
Transistortyp
N-MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi