N-Kanal-Transistor FDH3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V

N-Kanal-Transistor FDH3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
8.51€
5-9
7.67€
10-29
7.03€
30-59
6.51€
60+
5.80€
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor FDH3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 6000pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kosten): 820pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47

FDH3632
30 Parameter
ID (T=100°C)
57A
ID (T=25°C)
80A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.009 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247-3
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
6000pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kosten)
820pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
310W
RoHS
ja
Td(off)
90 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
N-Channel PowerTrench® MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
64 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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