N-Kanal-Transistor FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V

N-Kanal-Transistor FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
2.96€
5-24
2.55€
25-49
2.24€
50-99
2.03€
100+
1.75€
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N-Kanal-Transistor FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V. Drain-Source-Spannung (Vds): 650V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1148pF. Funktion: Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kosten): 671pF. Leistung: 36W. Maximaler Drainstrom: 11A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Technologie: SuperFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47

Technische Dokumentation (PDF)
FCPF11N60
26 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
650V
Einschaltwiderstand Rds On
0.33 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
IDSS (max)
10uA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
600V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1148pF
Funktion
Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
33A
Kanaltyp
N
Kosten)
671pF
Leistung
36W
Maximaler Drainstrom
11A
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
36W
Technologie
SuperFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild