N-Kanal-Transistor DF600R12IP4D, 600A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Abmessungen: 172x89x37mm. Anzahl der Terminals: 10. Betriebstemperatur: -40...+150°C. C(in): 37pF. CE-Diode: ja. Funktion: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 1200A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 600A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 3350W. RoHS: ja. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Td(off): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:27