N-Kanal-Transistor, 600A, Andere, Andere, 1200V - DF600R12IP4D

N-Kanal-Transistor, 600A, Andere, Andere, 1200V - DF600R12IP4D. N-Kanal-Transistor, 600A, Andere, Andere, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 37pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 600A. Ic(Impuls): 1200A. Anzahl der Terminals: 10. Abmessungen: 172x89x37mm. Pd (Verlustleistung, max): 3350W. RoHS: ja. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 11:25.