N-Kanal-Transistor CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, 2 mm × 2 mm Kunststoffgehäuse, 30 v. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Gehäuse: WSON6. Gehäuse (laut Datenblatt): 2 mm × 2 mm Kunststoffgehäuse. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 260pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. IDss (min): -. Id(imp): 57A. Kanaltyp: N. Kosten): 140pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 17W. RoHS: ja. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Originalprodukt vom Hersteller: Texas Instruments. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:19