N-Kanal-Transistor CM200DY-24H, 200A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Abmessungen: 108x62x31mm. Anzahl der Terminals: 7. Betriebstemperatur: -40...+125°C. C(in): 40pF. CE-Diode: nein. Funktion: Dualer IGBT-Transistor (isoliert). Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 400A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 200A. Kosten): 14pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Spec info: Hochleistungsschaltung. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Mitsubishi Electric Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:27