N-Kanal-Transistor BUZ11, TO-220, 50V, 0.03 Ohms, 50V, 19A, 30A, 100uA, TO-220AC, 50V. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 50V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Spannung Vds(max): 50V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 180 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1500pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1500pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: BUZ11. IDss (min): 20uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 750pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Maximaler Drainstrom: 30A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57