N-Kanal-Transistor BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

N-Kanal-Transistor BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

Menge
Stückpreis
1-4
1.69€
5-24
1.46€
25-49
1.32€
50-99
1.21€
100+
1.03€
Menge auf Lager: 31

N-Kanal-Transistor BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.064 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-78 ( TO220AB ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 440pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Automotive, Leistungsschaltung, 12-V- und 24-V-Motor. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 81A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 90pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Td(off): 28 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Temperatur: +175°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31

Technische Dokumentation (PDF)
BUK9575-55A
33 Parameter
ID (T=100°C)
14A
ID (T=25°C)
20A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.064 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-78 ( TO220AB )
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
440pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Automotive, Leistungsschaltung, 12-V- und 24-V-Motor
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
10V
IDss (min)
0.05uA
Id(imp)
81A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
90pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
62W
RoHS
ja
Spec info
IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed)
Td(off)
28 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
TrenchMOS logic level POWER MOSFET
Temperatur
+175°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
33 ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors