N-Kanal-Transistor BUK7620-55A-118, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V

N-Kanal-Transistor BUK7620-55A-118, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V

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Stückpreis
1-4
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5-9
6.90€
10-24
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25+
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N-Kanal-Transistor BUK7620-55A-118, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 54A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 17m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-404. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1200pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 217A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Kosten): 290pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 118W. RoHS: ja. Td(off): 70 ns. Td(on): 15 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31

Technische Dokumentation (PDF)
BUK7620-55A-118
29 Parameter
ID (T=100°C)
38A
ID (T=25°C)
54A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
17m Ohms
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-404
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1200pF
Drain-Source-Schutz
ja
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
0.05uA
Id(imp)
217A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Kosten)
290pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
118W
RoHS
ja
Td(off)
70 ns
Td(on)
15 ns
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
45 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors