N-Kanal-Transistor BTS740S2, SO, 30 milliOhms, PG-DSO20, 34V. Gehäuse: SO. Einschaltwiderstand Rds On: 30 milliOhms. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-DSO20. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 34V. Anzahl der Terminals: 20. Anzahl der Terminals: 3. Ausgang: 2db N-MOS 43V 5.5A. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200us. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: -. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 2x5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 150us. Funktion: „Intelligenter High-Side-Leistungsschalter“. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -. Herstellerkennzeichnung: BTS740S2. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.8W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. VCC: 5...34V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:14