N-Kanal-Transistor BSS138-SS, SOT-23, 50V
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N-Kanal-Transistor BSS138-SS, SOT-23, 50V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 36ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 27pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 200mA. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Herstellerkennzeichnung: SS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27
BSS138-SS
16 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds [V]
50V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
36ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
27pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
200mA
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
6 Ohms @ 0.22A
Einschaltzeit ton [nsec.]
5 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
2V
Herstellerkennzeichnung
SS
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.36W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi (fairchild)