N-Kanal-Transistor BSP125, SOT-223, 600V. Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 130pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 0.12A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Herstellerkennzeichnung: BSP125. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.7W. RoHS: nein. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27