N-Kanal-Transistor BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100nA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 250pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 10nA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kosten): 88pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 8.3W. RoHS: ja. Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31