N-Kanal-Transistor BSN20-215, SOT-23, TO-236AB, 50V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 25pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 0.173A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.5V. Herstellerkennzeichnung: BSN20. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.83W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:45