N-Kanal-Transistor BSM30GP60, andere, andere, 600V. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Abmessungen: 107.5x45x17mm. Anzahl der Terminals: 24. Betriebstemperatur: -40...+125°C. CE-Diode: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 30A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 700W. RoHS: ja. Spec info: 7x IGBT. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Td(off): 250 ns. Td(on): 50 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Eupec/infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31