N-Kanal-Transistor BS107, TO-92, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, 200V. Gehäuse: TO-92. ID (T=25°C): 120mA. IDSS (max): 30nA. Einschaltwiderstand Rds On: 15 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 85pF. Dioden-Tff (25 °C): 8 ns. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 200V. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 2A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BS107. Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 250mA. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Widerstand auf den Staat: 6.4 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31