N-Kanal-Transistor APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1685pF. CE-Diode: ja. Funktion: Hochfrequenz-Schaltnetzteile. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 65A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 56A. Kosten): 210pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Trr-Diode (Min.): 55ms. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:35