N-Kanal-Transistor AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

N-Kanal-Transistor AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.18€
5-24
1.02€
25-49
0.89€
50-99
0.81€
100+
0.69€
Menge auf Lager: 74

N-Kanal-Transistor AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1700pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 90A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9971GH. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Kosten): 160pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 39W. RoHS: ja. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:35

Technische Dokumentation (PDF)
AP9971GH
33 Parameter
ID (T=100°C)
16A
ID (T=25°C)
25A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.036 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1700pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
90A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
9971GH
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
3000
Kosten)
160pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
39W
RoHS
ja
Td(off)
26 ns
Td(on)
9 ns
Technologie
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
37 ns
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Advanced Power