N-Kanal-Transistor AP40T03GJ, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 25m Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 655pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 95A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40T03 GP. Kosten): 145pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 31.25W. RoHS: ja. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25