N-Kanal-Transistor AON6512, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9m Ohms. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3430pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 340A. Kanaltyp: N. Kosten): 1327pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: „Neueste Trench Power AlphaMOS-Technologie“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25