N-Kanal-Transistor, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v - AON6512

N-Kanal-Transistor, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v - AON6512. N-Kanal-Transistor, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9m Ohms. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 3430pF. Kosten): 1327pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 340A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: „Neueste Trench Power AlphaMOS-Technologie“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.