N-Kanal-Transistor AON6246, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V

N-Kanal-Transistor AON6246, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
2.39€
5-24
2.09€
25-49
1.86€
50+
1.69€
Menge auf Lager: 3

N-Kanal-Transistor AON6246, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.3m Ohms. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2850pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 170A. Kanaltyp: N. Kosten): 258pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
AON6246
30 Parameter
ID (T=100°C)
51A
ID (T=25°C)
80A
IDSS (max)
5uA
Einschaltwiderstand Rds On
5.3m Ohms
Gehäuse
PowerPAK SO-8
Gehäuse (laut Datenblatt)
PowerSO-8 ( DFN5X6 )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
8:1
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2850pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
170A
Kanaltyp
N
Kosten)
258pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
83W
RoHS
ja
Td(off)
29 ns
Td(on)
8 ns
Technologie
„Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
19 ns
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha & Omega Semiconductors