N-Kanal-Transistor AO4262E, SO8
Menge
Stückpreis
1-4
1.82€
5-9
1.13€
10-19
1.00€
20-49
0.92€
50+
0.86€
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N-Kanal-Transistor AO4262E, SO8. Gehäuse: SO8. : erweitert. Aufladung: 15nC. Drain-Source-Spannung: 60V. Eigenschaften des Halbleiters: ESD-geschützt. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 2W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 13A. Transistortyp: N-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:15
AO4262E
13 Parameter
Gehäuse
SO8
erweitert
Aufladung
15nC
Drain-Source-Spannung
60V
Eigenschaften des Halbleiters
ESD-geschützt
Gate-Source-Spannung
±20V
Leistung
2W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
13A
Transistortyp
N-MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor