N-Kanal-Transistor AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

N-Kanal-Transistor AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Menge
Stückpreis
1-4
0.24€
5-49
0.19€
50-99
0.16€
100-199
0.15€
200+
0.13€
Menge auf Lager: 260

N-Kanal-Transistor AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 18M Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1160pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Niedrige Eingangsaufladung. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 30A. Kanaltyp: N. Kosten): 187pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Spec info: ESD-geschützt. Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 17.7 ns. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:52

Technische Dokumentation (PDF)
AO3416
31 Parameter
ID (T=100°C)
5.2A
ID (T=25°C)
6.5A
IDSS (max)
5uA
Einschaltwiderstand Rds On
18M Ohms
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Spannung Vds(max)
20V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1160pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Niedrige Eingangsaufladung
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
8V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
30A
Kanaltyp
N
Kosten)
187pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.4W
RoHS
ja
Spec info
ESD-geschützt
Td(off)
51.7 ns
Td(on)
6.2 ns
Technologie
„Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
17.7 ns
Vgs(th) max.
1V
Vgs(th) min.
0.4V
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha & Omega Semiconductors